Original von majorsnake
Hängt es nicht eher davon ab, wieviel Abstand zwischen Valenz- und Leitungsband ist?
this!
Original von dak113
Außerdem ist mir nicht klar, wie es möglich ist z.B. mit InGaAlP sowohl Licht des roten als auch des grünen Bereichs zu emittieren.
Hängt das mit unterschiedlichen Dotierungen zusammen?
Ich weiß zwar nicht genau wie der Mechanismus bei AlGaInP funktioniert, aber ich denke das wird so ähnlich sein wie bei InGaN. Ausgangspunkt sind die beiden Halbleiter Indiumnitrid(InN) und Galliumnitrid(GaN). InN hat ne direkte Bandlücke von 0,7 eV (das liegt im infraroten Bereich) (Hat sogar ne recht lustige Bandstruktur, weshalb man lange Zeit durch Photoabsorption dachte InN wäre bei 2ev. Findet man stellenweise auch heute noch als Literaturwert. Is afaik auch erst durch LED-Technologie herausgekommen) und GaN mit ca 3,4 eV im violetten Bereich (also am anderen ende des sichtbaren Spektrums)
Je nachdem in welchem Verhältnis man die beiden Materialen mischt kann man die Bandlücke so einstellen, dass sie im gewünschten Wellenlängenvereich liegt. Ich vermute bei AlGaInP wird das ähnlich sein, sollte es auch in mehreren Bereichen emittieren können.