also man kann sich das so überlegen:
wir haben einen p(Löcher) und einen n(Elektronen) dotierten halbleiter, wenn wir diese zusammenfügen, strömen löcher vom p in den n halbleiter und elektronen vom n in den p. (diffusion)
Es ensteht die sogenannte Raumladungszone in der Mitte des übergangs, in der vom n in den p HL ein elektrisches Feld zeigt, da ja die Löcher in den n HL strömen.
Dieses E-Feld bremst weitere Löcher, diese strömen nicht mer ins n gebiet, der ganze NP-übergang befindet sich also im gleichgewicht.
nun können wir mit unserer versorgungsspannung von aussen ein E-feld an den HL anlegen:
legen wir den plus pol an den n halbleiter und minus an p, dann verstärken wir das vorhandene E-feld in der Raumladungszone, der austausch von elektronen und löcher, wird noch stärker gebremst. (mann kann es sich auch so überlgen, dass der plus pol aus dem n leiter mehr elektronen abtransportiert und die Löcherdichte grösser wird)
aber falls der plus pol an p anliegt, minus an n, dann wirken wir dem E-feld in der Raumladungszone entgegen. sobald unser äusseres feld grösser ist als das innere, werden löcher und elektronen nicht mehr gebremst und können nun zu den kontakten gelangen.
die eingebaute spannung des inneren E-felds beträgt gerade etwa 0.7V bei gängigen pn-dioden, also sobald wir mehr als 0.7V von p über n haben, leitet die diode ==> darum alles unter 0.7V abschneiden
hast du aber mehr als 0.7V von n über p, passiert gar nix...
ich hoffe, ich habe keinen müll erzählt (also keine gewähr auf richtigkeit 
) und es ist einigermassen verständlich
sonst schau einfach mal auf wikipedia
Ich versuche es mir so zu erklären "np -> minus zu plus ist ok" d. h. der untere Teil muss abgeschnitten werden, da er die Hälfte ja von plus ins minus geht?!
